场效应晶体管c互补对31V至100V_型号BSS8402DW

场效应晶体管c互补对31V至100V_型号BSS8402DW
浏览量:164 上传更新:2019-08-26
场效应晶体管c互补对31V至100V_型号BSS8402DW

该MOSFET设计用于最大限度地降低通态电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,使其成为高效电源管理应用的理想选择。

应用

?通用接口开关 ?电源管理功能

?模拟开关

特征

?低导通电阻 ?低门限电压

?低输入电容 ?快速切换速度

?低输入/输出泄漏 ?互补对

?完全无铅且完全符合RoHS标准 ?卤素和无锑。“绿色”装置

?符合AEC-Q101高可靠性标准

产品参数

封装 / 箱体:SOT-363-6 通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel, P-Channel Vds-漏源极击穿电压:60 V, 50 V

Id-连续漏极电流:115 mA, 130 mA Rds On-漏源导通电阻:7.5 Ohms, 10 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V, 800 mV Vgs - 栅极-源极电压:5 V

最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:200 mW 配置:Dual

通道模式:Enhancement 封装:Cut Tape

封装:MouseReel 封装:Reel

高度:1 mm 长度:2.2 mm

宽度:1.35 mm 正向跨导 - 最小值:0.08 S, 0.05 S

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