P沟道_DMP2005UFG

P沟道_DMP2005UFG
浏览量:95 上传更新:2019-08-26
P沟道_DMP2005UFG

该MOSFET旨在最大限度地降低通态电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,是高效电源管理应用的理想选择。

应用

负载开关

电源管理功能

特征

低R DS(ON) - 确保最小化状态损耗

小巧的外形,热效率高的封装可实现更高密度的终端产品

仅占SO-8占板面积的33%,可实现更小的最终产品

产品型号 DMP2005UFG-7 制造商编号 621-DMP2005UFG-7

描述 MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V 技术 Si

安装风格 SMD/SMT 封装 / 箱体 PowerDI3333-8

通道数量 1 Channel 晶体管极性 P-Channel

Vds-漏源极击穿电压 20 V Id-连续漏极电流 89 A

Rds On-漏源导通电阻 3.5 mOhms Vgs th-栅源极阈值电压 900 mV

Vgs - 栅极-源极电压 10 V Qg-栅极电荷 125 nC

最小工作温度 - 55 C 最大工作温度 + 150 C

Pd-功率耗散 48 W 配置 Single

通道模式 Enhancement 封装 Cut Tape

封装 MouseReel 封装 Reel

晶体管类型 1 P-Channel 商标 Diodes Incorporated

下降时间 85 ns 产品类型 MOSFET

上升时间 10.5 ns 标准包装数量 2000

子类别 MOSFETs 典型关闭延迟时间 115 ns

典型接通延迟时间 9.5 ns 包装 PowerDI3333-8

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