N通道8V_DMG1012T

N通道8V_DMG1012T
浏览量:88 上传更新:2019-08-26
N通道8V_DMG1012T

Diodes Incorporated的N沟道8V至29V MOSFET系列具有成本效益和最高质量。

特征

低导通电阻 低门限电压

低输入电容 快速切换速度

低输入/输出泄漏 防静电保护高达2kV

完全无铅和完全符合RoHS(注1和2) 无卤素和锑。“绿色”装置(注3)

符合AEC-Q101高可靠性标准 支持PPAP

符合AECQ10x标准是 符合汽车标准的PPAP根据要求*

极性? ESD二极管是

VDS20 V VGS6±V

IDS @ TA = + 25°C0.63 A. PD @ TA = + 25°C0.28瓦

RDS(ON)Max @ VGS(10V)N /AmΩ

RDS(ON)Max @ VGS(4.5V)400mΩ

RDS(ON)Max @ VGS(2.5V)500mΩ

RDS(ON)Max @ VGS(1.8V)700mΩ

VGS(th)Max1 V

QG Typ @ VGS = 4.5V(nC)0.74 nC

QG Typ @ VGS = 10V(nC)N / A nC

包装:SOT523

外壳材料:成型塑料,“绿色”成型化合物。

UL易燃性分类等级94V-0

湿度敏感度:根据J-STD-020,1级

接线端:抛光哑光锡退火合金42

引线框架。根据MIL-STD-202方法208可焊接

接线端连接:见图表

重量:0.002克(近似值)

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