N沟道30V_DMG4466SSS

N沟道30V_DMG4466SSS
浏览量:181 上传更新:2019-08-26
N沟道30V_DMG4466SSS

Diodes Incorporated的N沟道30V MOSFET系列采用了该公司经济高效的封装技术。

封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm宽) FET类型 N沟道

漏源极电压(Vdss) 30V 栅源电压 Vgss ±25V

安装类型 表面贴装(SMT)

产品规格 产品参数

符合AECQ10x标准符合汽车标准的PPAP根据要求*

极性 ? ESD二极管 没有

VDS 30 V VGS 25 ±V

IDS @ TA = +25°C10 A PD @ TA = +25°C1.42 W

RDS(ON) Max @ VGS (10V)23 mΩ RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)33 mΩ

RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)N/A mΩ RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)N/A mΩ

VGS (th) Max2.4 V

QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)5 nC QG Typ @ VGS = 10V (nC)10.5 nC

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