双极晶体管 (BJT)_2DA1201Y

双极晶体管 (BJT)_2DA1201Y
浏览量:116 上传更新:2019-08-26
双极晶体管 (BJT)_2DA1201Y

致力于追求制程的优化,以达成最低饱和电压、缩小晶粒面积,并提高切换效能,进而减少功耗,打造出最小表面黏着的封装,同时仍能满足目标应用之所需。双极本质上对 ESD 的耐受力,加上极低的特征导通电阻,使其成为MOSFET技术之外极具成本效益的替代方案,各种电路拓朴均可采用。

产品规格
产品参数
符合AECQ10x标准 是
符合汽车标准的PPAP 根据要求*
产品类别 PNP
VCEO,VCES 120 V
IC 0.8 A.
ICM 3 A.
PD 1.5 W
hFE 120分钟
hFE(@ IC) 0.1 A
hFE(最少2) N / A
hFE(@ IC2) N / AA
VCE(SAT)Max 1000 mV
VCE(SAT)(@ IC / IB)(A / m A)0.5 / 50
VCE(SAT)(最高2) N / A mV
VCE(SAT)(@ IC / IB2)(A / m A)N / A
fT 160
RCE(SAT) N /AmΩ
包装 SOT89

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