场效应晶体管_型号QS6J1

场效应晶体管_型号QS6J1
浏览量:116 上传更新:2019-08-21
场效应晶体管_型号QS6J1

电界效果晶体管MOSFET。复合两颗Pch MOSFET。提供通过采用细微流程的「超低阻值的设备」而在广泛领域得以应用的功率MOSFET,并且结合用途,以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。

型号 |QS6J1TR STATUS |供应中

封装 |TSMT6 包装数量 |3000

最小独立包装数量 |3000 包装形态 |TAPING

ROHS |YES

特性:

Grade 标准 包裹代码 SOT-457T

JEITA套餐 SC-95 包装尺寸[mm]2.9x2.8(T = 1.0max。)

终端数量 6 极性 PCH + PCH

漏源电压VDSS [V]-20 漏极电流ID [A]-1.5

RDS(on)[Ω] VGS = 2.5V(典型值) 0.31

RDS(on)[Ω] VGS = 4V(典型值) 0.17

RDS(on)[Ω] VGS = 4.5V(典型值) 0.155

RDS(on)[Ω] VGS = Drive(Typ。) 0.31

总栅极电荷Qg [nC] 3.0 功耗(PD)[W]1.25

驱动电压[V] -2.5 安装方式 表面贴装

储存温度(最小值)[°C]-55 储存温度(最大)[°C]150

特点:

低导通电阻。

内置GS保护二极管。

小型表面贴装封装(TSMT6)。

无铅铅镀层;符合RoHS标准。

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