场效应晶体管_型号RQ3E080GNTB

场效应晶体管_型号RQ3E080GNTB
浏览量:156 上传更新:2019-08-21
场效应晶体管_型号RQ3E080GNTB

场效应晶体管MOSFET。通过采用微细工艺的“超低导通电阻元件”,为用户提供应用广泛的功率MOSFET。根据用途备有小型、大功率、复合化的丰富产品阵容,可满足多样的市场需求。

型号 |RQ3E080GNTB STATUS |供应中

封装 |HSMT8 包装数量 |3000

最小独立包装数量 |3000 包装形态 |TAPING

ROHS |YES

特性:

Grade 标准 包裹代码 HSMT8(3.3x3.3)

包装尺寸[mm] 3.3x3.3(T = 0.8)应用 电源

终端数量 8 极性 NCH

漏源电压VDSS [V] 30 漏极电流ID [A]18.0

RDS(on)[Ω] VGS = 4.5V(典型值) 0.0175

RDS(on)[Ω] VGS = 10V(典型值) 0.0129

RDS(on)[Ω] VGS = Drive(Typ。) 0.0175

总栅极电荷Qg [nC] 2.8 功耗(PD)[W] 14.0

驱动电压[V] 4.5 安装方式 表面贴装

储存温度(最小值)[°C]-55

储存温度(最大)[°C] 150

特点:

·低导通电阻。

·高功率封装(HSMT8)。

·无铅铅电镀;符合RoHS标准

·无卤素

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